[00234854]一种硫钒铜矿结构的多晶体材料及其应用
交易价格：
面议
所属行业：
其他
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201010508505.0
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
四川钒钛产业技术研究院
进入空间
所在地：四川攀枝花市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种硫钒铜矿结构的多晶体材料及其应用。通过真空固相合成法可制备这类材料的多晶体粉体，通过脉冲激光沉积技术可制备这类材料的多晶体薄膜。这类半导体材料属于立方晶系， 空间群，具有硫钒铜矿结构。这类材料是p型半导体，具有各向同性的优点，有较大的光吸收系数，易于合成和制备成多晶薄膜，且部分材料的价格低廉，可以用做太阳能光伏电池的吸收层材料。
本发明公开了一种硫钒铜矿结构的多晶体材料及其应用。通过真空固相合成法可制备这类材料的多晶体粉体，通过脉冲激光沉积技术可制备这类材料的多晶体薄膜。这类半导体材料属于立方晶系， 空间群，具有硫钒铜矿结构。这类材料是p型半导体，具有各向同性的优点，有较大的光吸收系数，易于合成和制备成多晶薄膜，且部分材料的价格低廉，可以用做太阳能光伏电池的吸收层材料。
