[00233838]I层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201110319001.9
交易方式：
技术转让
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技术入股
联系人：
四川钒钛产业技术研究院
进入空间
所在地：四川攀枝花市
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-
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对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍
本发明公开了一种I层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池中I层掺杂浓度高的问题。本发明的PIN型核电池自上而下包括放射性同位素源层(1)、SiO 2 致密绝缘层(2)、SiO 2 钝化层(3)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×10 19 ～5×10 19 cm -3 的p型SiC外延层(5)、n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×10 18 ～7×10 18 cm -3 的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该n型SiC外延层(6)是通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×10 13 ～1×10 15 cm -2 的钒离子形成掺杂浓度为1×10 13 ～5×10 14 cm -3 的n型SiC外延层。本发明具有电子空穴对收集率，器件的开路电压和能量转换效率高的优点，可作为微系统的片上电源、心脏起搏器的电源和手机备用电源。
本发明公开了一种I层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池中I层掺杂浓度高的问题。本发明的PIN型核电池自上而下包括放射性同位素源层(1)、SiO 2 致密绝缘层(2)、SiO 2 钝化层(3)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×10 19 ～5×10 19 cm -3 的p型SiC外延层(5)、n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×10 18 ～7×10 18 cm -3 的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该n型SiC外延层(6)是通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×10 13 ～1×10 15 cm -2 的钒离子形成掺杂浓度为1×10 13 ～5×10 14 cm -3 的n型SiC外延层。本发明具有电子空穴对收集率，器件的开路电压和能量转换效率高的优点，可作为微系统的片上电源、心脏起搏器的电源和手机备用电源。
