[00229908]蓝宝石衬底纳米孔制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610296695.1
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法，包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜；在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶；通过光刻机对光刻胶进行曝光；对曝光后的光刻胶进行显影形成纳米孔图形；以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜，将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上；去除光刻胶，以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜，对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀，将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上；去除所述单晶薄膜。本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法，通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底。
摘要：本发明提供一种蓝宝石衬底纳米孔制备方法，包括以下步骤在蓝宝石衬底表面形成一层单晶薄膜；在所述单晶薄膜上旋涂一层光刻胶；通过光刻机对光刻胶进行曝光；对曝光后的光刻胶进行显影形成纳米孔图形；以形成有纳米孔图形的光刻胶为掩膜干法刻蚀所述单晶薄膜，将所述纳米孔图形转移到单晶薄膜上；去除光刻胶，以形成有所述纳米孔图形的单晶薄膜为掩膜，对所述蓝宝石衬底进行干法刻蚀，将所述纳米孔图形转移到所述蓝宝石衬底上；去除所述单晶薄膜。本发明提出的蓝宝石衬底纳米孔制备方法，通过激光干涉光刻配以干法刻蚀技术快速实现结构均匀、周期可控、占空比可控、低成本的纳米孔拼接块图形化蓝宝石衬底。
