[00229360]一种在绝缘衬底上原位生长掺杂石墨烯薄膜的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
化工生产
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410767130.8
交易方式：
技术转让
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技术入股
联系人：
中科院重庆绿色智能技术研究院德领科技
进入空间
所在地：重庆重庆市
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-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明涉及一种在绝缘衬底上原位生长掺杂石墨烯薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤一，对绝缘衬底进行预处理；步骤二，在预处理后的绝缘衬底上镀一层金属催化剂；步骤三，将镀有金属催化剂的绝缘衬底放入CVD炉的腔体内，通入载气，进行升温至生长温度；步骤四，向CVD腔体内通入碳源气体，碳源气体在金属表面成核，并生成石墨烯结构；步骤五，生长完成后，停止加温，停止通入碳源气体，继续通入载气，待腔体降至室温，取出生长了石墨烯薄膜的绝缘衬底。本发明利用化学气相沉积法(CVD)，在绝缘基底上镀一层金属催化剂后所制备的石墨烯直接生长在绝缘衬底上，避免了转移过程对石墨烯的损伤，可直接用于器件制备和透明电极等应用。
摘要：本发明涉及一种在绝缘衬底上原位生长掺杂石墨烯薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤一，对绝缘衬底进行预处理；步骤二，在预处理后的绝缘衬底上镀一层金属催化剂；步骤三，将镀有金属催化剂的绝缘衬底放入CVD炉的腔体内，通入载气，进行升温至生长温度；步骤四，向CVD腔体内通入碳源气体，碳源气体在金属表面成核，并生成石墨烯结构；步骤五，生长完成后，停止加温，停止通入碳源气体，继续通入载气，待腔体降至室温，取出生长了石墨烯薄膜的绝缘衬底。本发明利用化学气相沉积法(CVD)，在绝缘基底上镀一层金属催化剂后所制备的石墨烯直接生长在绝缘衬底上，避免了转移过程对石墨烯的损伤，可直接用于器件制备和透明电极等应用。
