[00229141]基于电阻加固的静态随机访问存储器的存储单元
交易价格：
面议
所属行业：
其他电子信息
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510142872.6
交易方式：
技术转让
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技术入股
联系人：
中国科学院自动化研究所
进入空间
所在地：北京北京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明提出了一种基于电阻加固的静态随机访问存储器的存储单元，包括锁存电路和位选择电路，锁存电路由两个PMOS管P1和P2、两个NMOS管N1和N2、第一阻容网络和第二阻容网络构成；位选择电路由NMOS管N5和N6组成；锁存电路形成4个存储点X1、X1B、X2、X2B；相对于传统6T结构存储单元，添加了阻容网络，在不改变原读操作通路，在不增加明显复杂性情况下，以增加少量面积为代价，保证存储单元不发生单粒子翻转，保证数据正确。
摘要：本发明提出了一种基于电阻加固的静态随机访问存储器的存储单元，包括锁存电路和位选择电路，锁存电路由两个PMOS管P1和P2、两个NMOS管N1和N2、第一阻容网络和第二阻容网络构成；位选择电路由NMOS管N5和N6组成；锁存电路形成4个存储点X1、X1B、X2、X2B；相对于传统6T结构存储单元，添加了阻容网络，在不改变原读操作通路，在不增加明显复杂性情况下，以增加少量面积为代价，保证存储单元不发生单粒子翻转，保证数据正确。
