[01920736]介电膜及其制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201911042779.2
交易方式:
技术转让
联系人:
所在地:内蒙古自治区呼和浩特市
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对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明涉及介电膜及其制备方法。制备方法包括采用第一材料和第二材料的界面电荷积累模型,获得所述第一材料和所述第二材料的厚度比以及所述第一材料和所述第二材料之间的界面的漏电电荷面密度;制备由所述厚度比的所述第一材料和所述第二材料形成的介电膜。本发明的介电膜相比于原始薄膜有效的改善了其漏电表现,降低了能量损耗并提升了击穿电场从而提升了储能特性。
本发明涉及介电膜及其制备方法。制备方法包括采用第一材料和第二材料的界面电荷积累模型,获得所述第一材料和所述第二材料的厚度比以及所述第一材料和所述第二材料之间的界面的漏电电荷面密度;制备由所述厚度比的所述第一材料和所述第二材料形成的介电膜。本发明的介电膜相比于原始薄膜有效的改善了其漏电表现,降低了能量损耗并提升了击穿电场从而提升了储能特性。