[01920558]一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基及人工扩繁方法
交易价格:
面议
所属行业:
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN202110674151.5
交易方式:
技术转让
联系人:
所在地:内蒙古自治区呼和浩特市
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对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍
本发明属于苔藓植物扩繁培养技术领域,具体涉及一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基及人工扩繁方法。首先,本发明提供了一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基,所述培养基以Beneck培养基为基础培养基,以蔗糖为碳源,添加植物激素IBA或2,4-D 0.5-2.5mg/L、琼脂8-10g/L制成。其次,本发明提供了一种卷叶墙藓的人工扩繁方法,包括:(1)用0.05-0.1%HgCl-2对卷叶墙藓外植体表面进行处理;(2)将消毒处理后的卷叶墙藓外植体接种在所述的培养基上进行培养。本发明填补现有技术中卷叶墙藓配子体扩繁技术领域的空白,实现了人工大量快速扩繁卷叶墙藓配子体,为卷叶墙藓生物学特性研究奠定了基础。
本发明属于苔藓植物扩繁培养技术领域,具体涉及一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基及人工扩繁方法。首先,本发明提供了一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基,所述培养基以Beneck培养基为基础培养基,以蔗糖为碳源,添加植物激素IBA或2,4-D 0.5-2.5mg/L、琼脂8-10g/L制成。其次,本发明提供了一种卷叶墙藓的人工扩繁方法,包括:(1)用0.05-0.1%HgCl-2对卷叶墙藓外植体表面进行处理;(2)将消毒处理后的卷叶墙藓外植体接种在所述的培养基上进行培养。本发明填补现有技术中卷叶墙藓配子体扩繁技术领域的空白,实现了人工大量快速扩繁卷叶墙藓配子体,为卷叶墙藓生物学特性研究奠定了基础。