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[01920558]一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基及人工扩繁方法

交易价格: 面议

所属行业:

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN202110674151.5

交易方式: 技术转让

联系人:

所在地:内蒙古自治区呼和浩特市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明属于苔藓植物扩繁培养技术领域,具体涉及一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基及人工扩繁方法。首先,本发明提供了一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基,所述培养基以Beneck培养基为基础培养基,以蔗糖为碳源,添加植物激素IBA或2,4-D 0.5-2.5mg/L、琼脂8-10g/L制成。其次,本发明提供了一种卷叶墙藓的人工扩繁方法,包括:(1)用0.05-0.1%HgCl-2对卷叶墙藓外植体表面进行处理;(2)将消毒处理后的卷叶墙藓外植体接种在所述的培养基上进行培养。本发明填补现有技术中卷叶墙藓配子体扩繁技术领域的空白,实现了人工大量快速扩繁卷叶墙藓配子体,为卷叶墙藓生物学特性研究奠定了基础。
本发明属于苔藓植物扩繁培养技术领域,具体涉及一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基及人工扩繁方法。首先,本发明提供了一种卷叶墙藓的人工扩繁用培养基,所述培养基以Beneck培养基为基础培养基,以蔗糖为碳源,添加植物激素IBA或2,4-D 0.5-2.5mg/L、琼脂8-10g/L制成。其次,本发明提供了一种卷叶墙藓的人工扩繁方法,包括:(1)用0.05-0.1%HgCl-2对卷叶墙藓外植体表面进行处理;(2)将消毒处理后的卷叶墙藓外植体接种在所述的培养基上进行培养。本发明填补现有技术中卷叶墙藓配子体扩繁技术领域的空白,实现了人工大量快速扩繁卷叶墙藓配子体,为卷叶墙藓生物学特性研究奠定了基础。

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