[01918660]一种氧化铟薄膜晶体 管及其制备方法
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技术详细介绍
本发明属于电子材料与元器件领域，具体涉及一种氧化铟薄膜 晶体管及其制备方法。从下至上包括衬底、栅电极、绝缘层、 氧化铟有源层、源漏电极、电子受体薄膜。所述电子受体薄膜 为有机材料或无机材料，当电子受体薄膜为有机材料时，还可 以在电子受体薄膜上增加氧化铝钝化层。本发明无需在氧化铟 有源层中引入杂质离子，即可调控其本征电子浓度，使薄膜晶 体管保持了较高的迁移率。本发明制备工艺简单、成本低廉、 条件易控制、易于大面积批量生产。