[01917713]一种基于流延成型的碳化硅晶须强化碳化硅陶瓷分离膜及其制备方法
交易价格:
面议
所属行业:
类型:
非专利
技术成熟度:
正在研发
交易方式:
技术转让
联系人:赵增典
所在地:山东淄博市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
技术优势:(1)本发明可以将随意放置的手机后壳在传动后,通过翻 转结构进行自动反正,省去了传统人工翻转的过程,可以连续持续进行, 具有较高的效率;(2)本发明可以防止翻转不成功的情况,当翻转失败后 被刮板轮重新推回翻转区进行再次翻转,可以保证任何一个手机后壳到 翻转至背面向上;(3)本发明将背面向上的手机后壳使用压块压到手机后 壳托上,传动带将手机后壳托运送至设备上表面开口处,可直接匹配平 面抛光设备直接进行抛光处理。
性能指标:本发明制得的碳化硅晶须强化碳化硅陶瓷分离膜由纯相 碳化硅组成,不含任何低熔点氧化物,因此具有较强的耐化学腐蚀性、 耐高温腐蚀性,可用于强腐蚀性水体、高温水体的处理。所制备的支撑 体由碳化硅颗粒和碳化硅晶须制备而成,加入碳化硅晶须提高了支撑体 的孔隙率和断裂强度。
技术优势:(1)本发明可以将随意放置的手机后壳在传动后,通过翻 转结构进行自动反正,省去了传统人工翻转的过程,可以连续持续进行, 具有较高的效率;(2)本发明可以防止翻转不成功的情况,当翻转失败后 被刮板轮重新推回翻转区进行再次翻转,可以保证任何一个手机后壳到 翻转至背面向上;(3)本发明将背面向上的手机后壳使用压块压到手机后 壳托上,传动带将手机后壳托运送至设备上表面开口处,可直接匹配平 面抛光设备直接进行抛光处理。
性能指标:本发明制得的碳化硅晶须强化碳化硅陶瓷分离膜由纯相 碳化硅组成,不含任何低熔点氧化物,因此具有较强的耐化学腐蚀性、 耐高温腐蚀性,可用于强腐蚀性水体、高温水体的处理。所制备的支撑 体由碳化硅颗粒和碳化硅晶须制备而成,加入碳化硅晶须提高了支撑体 的孔隙率和断裂强度。