[01915081]强磁场作用下制备硅片织构
联系人：周秋忠
所在地：辽宁沈阳市
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技术详细介绍
在非磁场和1T 、2T 、3T 、4T 磁场作 用下，用 NaOH 溶液腐蚀制备多晶硅表面 织构，随磁感应强度增强，溶液中的带 电粒子受磁场的洛伦兹力作用增大，搅 拌作用增强，导致多晶硅片腐蚀速度加 快，腐蚀程度增强；随磁感应强度增强运动方向与磁场方向不完全一致的 OH-离子受磁场的洛伦兹力作用增大，使得 OH-离子对分布于磁场方向的旁侧的硅原子的作用更加细致，导致多晶硅碱液 腐蚀过程中出现的不利于后续处理的断层状结构变得细腻，硅片绒面结构变得 均匀；随磁感应强度增强，多晶硅片反射率降低，磁感应强度为4T 时反射率降 低到14.5%,在碱液腐蚀制备多晶硅表面织构过程中施加强磁场减反射效果显 著。