[01845025]一种槽型积累层MOSFET器件
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技术详细介绍
一种槽型积累层MOSFET器件,属于功率半导体器件技术领域。本发明在纵向MOSFET器件的源漏之间的漂移区中引入介质槽,槽内填充介电常数较小的介质材料;介质槽被第二导电类型重掺杂栅端欧姆接触区、第二导电类型高阻区、第一导电类型高阻区、第一导电类型重掺杂场截止区和第二导电类型漏端接触区构成的辅助电荷积累层所包围,辅助电荷积累层又被介质隔离层所包围。本发明通过引入辅助电荷积累层,器件正向导通时在漂移区内靠近介质隔离层附近形成高浓度的载流子积累层,从而大幅降低导通电阻,进而降低功耗;在器件关断时提高介质槽中的电场强度从而提高器件耐压;同时介质槽在提高器件耐压的同时缩小了器件的横向尺寸,降低了比导通电阻。