[01841373]高亮度GaN蓝光LED技术
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技术详细介绍
该技术包含GaN材料生长用MOCVD设备制造技术和高亮度GaN蓝光LED制造技术。研制了MOCVD设备及恒流配气技术、MOCVD系统控制软件、P型GaN大气退火技术、InGaN/GaN多量子阱结构温度条件钝化工艺、InGaN/GaN梯形多量子阱结构制备技术和高亮度GaN蓝光LED外延片制造技术等多项具有自主知识产权的技术。研制的MOCVD设备，具有独创的反应室和配气系统设计；国内首创的MOCVD系统全自动控制软件，InGaN/GaN多量子阱结构温度条件钝化工艺和InGaN/GaN梯形多量子阱结构制备技术突破了国际公认的工艺范围。制备的GaN材料具有和Aixtron200型相同的质量，制备出的LED管具有超高亮度。