[01812791]高质量大尺寸闪烁晶体钨酸镉的坩埚下降法生长技术
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技术详细介绍
针对钨酸镉单晶生长所固有的技术问题，近年来本课题组开展了钨酸镉单晶的坩埚下降法生长的研究，获得了具有重要技术创新性的研究成果，这些研究成果包括： (1)在国际上首次研究开发钨酸镉闪烁单晶的垂直坩埚下降法生长工艺，采用高温固相反应合成出化学计量组成的钨酸镉多晶料，自行设计建造了垂直坩埚下降法单晶生长炉，通过垂直垂直坩埚下降法成功生长出直径达40mm的钨酸镉单晶材料。 (2)综合应用多种材料测试手段，分析表征了所生长钨酸镉单晶的化学组成、晶体缺陷与发光性能，弄清了钨酸镉单晶棒的化学组成、透射光谱与发光强度的相关规律性，研究了不同原料组分配比条件下可能出现的晶体缺陷。 (3)基于钨酸镉单晶生长与发光性能的研究成果，在国内外重要学术期刊发表论文3篇，申报中国发明专利1项，这些研究成果为发展高性能闪烁晶体材料的制备技术做出了有价值的学术积累，所提供的专利技术可推广应用于钨酸镉单晶的批量生长，有助于促进我国海关集装箱检查设备制造业的技术进步。