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技术详细介绍
要保证大功率电力电子器件通态特性优良，器件的电极接触是关键问题。该研究对Ｐ＜’＋＞－Ｐ－Ｎ－Ｎ＜’＋＞型硅整流元件的正向导电机理、各区电位分布、能量转换等基础问题作了理论研究分析，明确了易于被人疏忽和误解的一些重要概念。它针对电极接触电阻，从实验和理论分析两方面系统地研究了降低器件电极接触电阻的问题，并对Ｐ＜’＋＞、Ｎ＜’＋＞区的浓度分布和少子寿命分布对正向压降的影响，系统地进行了试验研究，得出了对改进工艺及器件特性有指导性的结论，获得了较好的经济效益。它针对国内电力半导体器件的压降和耐浪涌比国外产品差，同样等级电流电压器件结面积比国外大，因此造成经济效益差等问题，提出了理论依据和实验结果。该成果对降低国产硅功率器件成本，提高企业效益，有较大作用。该成果在永济电机厂推广，使ＺＰ８００－３０元件成本降低３０．３万元。