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技术详细介绍
该实用新型结构中的纳米量子点等间隔地放置在电极和电极之间，组成两个对称的串联隧道结。它通过脉冲电压Vp，使得n个电子隧道进入纳米量子点存储起来，实现电学“写”，同时利用电流检测纳米量子点上所存储电子的多少，实现电学“读”。该实用新型结构简单，可采用金属材料制作，从而突破了对半导体工艺的依赖，以其为基本单元可制作超高密度、超快速度、超低功耗的大规模存储器阵列。适用于集成电路芯片、计算机CPU、计算机内存、军用、工业和民用电子仪器仪表等许多领域。