[01679632]深亚微米栅长AlGaN/GaN HEMT制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种深亚微米栅长AlGaN/GaN HEMT制作方法,其制作过程为：1)在蓝宝石或SiC衬底上外延生长本征GaN、Al0.3Ga0.7N层和GaN帽层;2)在GaN帽层上进行有源区台面隔离和欧姆接触制作;3)在GaN帽层上进行100～200nm的第一层SiN介质淀积,并在第一层SiN上进行0.5～0.7μm的亚微米级栅光刻和槽栅的干法刻蚀,形成槽栅结构;4)进行厚度为250～300nm的第二层SiN淀积介质层;5)在第二层SiN介质层上进行250～300nm厚度的SiN介质层干法刻蚀,形成深亚微米的槽栅结构,并在该槽栅结构上制作栅电极和金属互联。本发明具有工作频率高、制作工艺过程简单、栅光刻工艺设备要求低,光刻效率高的优点。可用于制作工作于X波段至ku波段的AlGaN/GaN异质结高频大功率高电子迁移率晶体管。