[01669755]双重加热法制备碳化硅微晶体
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技术详细介绍
项目简介：碳化硅微晶体（碳化硅晶须、晶片）的制备在国内外一般都采用高温合成法，由于合成温度很高，一般为1800-2500℃，所以只能采用石墨作发热体的碳管炉。石墨电热体在高温下容易被氧化和侵蚀，使用寿命较短。受合成原料导热性能差的影响，加热炉的炉膛不能太大，每次合成的碳化硅数量有限。双重加热炉具有内外两套加热系统，外加热系统先将炉膛和试样加热至一个较低的温度，然后利用内加热系统使试样自身加热。内加热系统采用原料本身作发热体，具有整体加热、加热均匀、升温速率快、加热温度高、一次加热原料量大特点。双重加热炉所具有的电场催化作用代替或部分代替化学药品催化，可降低制备成本、提高碳化硅产率。以价格低廉的炭黑和SiO2微粉为原料，双重加热炉为加热设备，实现碳化硅微晶体合成的低成本、规模化生产。 技术特征： 1、采用双重加热炉合成碳化硅微晶体，可以提高碳化硅晶须的纯度； 2、通过调整电流强度，升温速率调整碳化硅晶片的径厚比。