[01511601]基于非晶化与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法
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本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法。其实现步骤是：在清洗后的AlN埋绝缘层上Si晶圆顶层Si层上淀积SiO2层;对顶层Si层进行离子注入形成非晶化层,并去除非晶化层上的SiO2层;在顶层Si层上淀积张应力SiN薄膜或压应力SiN薄膜后将SiN薄膜膜刻蚀成单轴张应力SiN条状阵列或单轴压应力SiN条状阵列,并对该晶圆进行退火,使非晶化层重结晶,使AlN埋绝缘层发生塑性形变;刻蚀掉SiN条状阵列,得到AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si。本发明散热性好、应变量大,可用于制作AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si材料。