[01510359]掺杂金刚石薄膜压力传感器的研究
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技术详细介绍
该研究提出以1类应力诱导2类应力变化为主线分析硼掺杂金刚石压阻效应，直接指导薄膜半导体器件的研制工艺。还提出无籽晶、无偏压、准单晶沉积法，探索在光滑的硅衬底上，沉积致密、光滑的金刚石膜片以及硼掺杂金刚石膜电阻，以便其应力分布均匀，提高传感器的稳定性和一致性。该项目还利用克利斯托夫(Christoffel)弹性模量和细观力学理论计算金刚石多层薄膜体系，探索了金刚石晶粒粒度大小对SAW器件中心频率的影响，研究了准分子激光脉宽对形成金刚石晶粒粒度大小的作用，并用准分子激光脉宽控制金刚石膜晶粒粒度大小，为研制高频(2.5GHz以上)金刚石多层薄膜SAW器件提供理论和工艺指导。