技术详细介绍
本发明涉及硫化镓钡单晶体及其生长方法及其红外非线性光学器件。其分子式为BaGa4S7，属于正交晶系，空间群为Pmn21，晶胞参数为a=14.755，b=6.228，c=5.929，α=β=γ=90°。该非线性光学材料的制备可采用坩锅下降法，得到它们的化合物及其单晶。该材料可应用于制造二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器。
本发明涉及硫化镓钡单晶体及其生长方法及其红外非线性光学器件。其分子式为BaGa4S7，属于正交晶系，空间群为Pmn21，晶胞参数为a=14.755，b=6.228，c=5.929，α=β=γ=90°。该非线性光学材料的制备可采用坩锅下降法，得到它们的化合物及其单晶。该材料可应用于制造二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器。