[01505600]一种SOI横向功率MOSFET器件
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技术详细介绍
一种SOI横向功率MOSFET器件,属于功率半导体器件技术领域。本发明在漂移区引入介质槽,槽内填充两种或两种以上的介质材料,且介质材料的介电系数低于有源层的介电常数,同时介电系数自下而上逐渐递减;介质槽靠近体区一侧具有体区纵向延伸结构;介质槽与介质埋层之间具有与漂移区掺杂类型相反的半导体埋层。变k介质材料填充的介质槽对有源层内电场的调制作用和纵向折叠漂移区的作用使得器件耐压大大提高并缩小器件横向尺寸;体区纵向延伸结构和半导体埋层结构的引入进一步提高了器件耐压,而且增强了对漂移区的耗尽作用,可提高漂移区掺杂浓度,从而降低器件的导通电阻;介质槽还能够降低器件的栅-漏电容,提高器件的频率和输出功率。