[01500237]一种横向高压MOS器件及其制造方法
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技术详细介绍
本发明涉及半导体功率器件技术领域,涉及一种横向高压MOS器件及其制造方法。本发明的横向高压器件,其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、设置在第一导电类型半导体衬底中的第二导电类型半导体注入漂移区以及源区和漏区,在第二导电类型半导体注入漂移区上还设置有第二导电类型半导体外延漂移区,所述源区和漏区分别设置在第二导电类型半导体外延漂移区上端面,所述第二导电类型半导体外延漂移区由自下而上依次层叠设置的多个第二导电类型半导体外延子漂移区构成。本发明的有益效果为,极大地降低了器件的导通电阻,缓解比导通电阻和耐压的矛盾关系。本发明尤其适用于横向高压MOS器件。