[01497073]一种半导体材料Si1-X-YCXNY三元化合物薄膜的制备方法
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技术详细介绍
本发明公开了新型半导体材料Si1-X-YCXNY三元化合物薄膜的制备方法：清洗热丝,并将其安装在真空室内进行碳化处理;对衬底清洗后装入真空室,对已装入真空室的衬底进行氢处理和碳化处理;制备薄膜：控制热丝温度2000～2200℃,衬底温度800～1000℃,向真空室中通入流量为80～150SCCM的H2,流量为0.5～2.0SCCM的SiH4,流量为1.0～4.0SCCM的CH4,流量为2.0～5.0SCCM的N2,真空室内发生化学反应,在衬底表面形成Si1-X-YCXNY薄膜,反应进行60分钟。本发明解决了均匀热场面积较小,热丝稳定性不足,热丝金属对薄膜有污染,制备的薄膜不均匀以及制备过程中N难于掺入的问题,在提高热场均匀性的同时也延长热丝的寿命。