[01488403]一种垂直结构深紫外LED芯片的制造方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种垂直结构深紫外LED芯片的制造方法。具体为：将p-GaN欧姆接触层利用激光直写工艺加工成网格状结构,并使用了一种高反射率的p型低阻欧姆接触Ni/Al电极与p-GaN网格进行欧姆接触,形成了较好的欧姆接触。然后通过在Ni/Alp电极导电层与外延层的n-AlGaN层之间刻蚀沟槽阵列和内反射镜沟槽阵列,得到蜂窝状结构,Al层作为反射镜沉积在内反射镜沟槽侧壁,从而得到蜂窝状内反射器结构。通过用网格状透明p-GaN层取代传统深紫外LED中的p-GaN层和设计蜂窝状内反射器结构,实现了对LED有源层横向传播光子的出射,减少了深紫外LED芯片中有源区的损失,大大提高了芯片的光提取效率。