[01481017]氧化物填充扩展沟槽栅超结MOSFET及其制造方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种用氧化物填充扩展沟槽栅超结MOSFET及其制造方 法,包括沟槽型的多晶硅栅极、栅氧化层及栅氧化层两侧的p-Well区,p-Well 区内设置有n＜sup＞+＜/sup＞源区;多晶硅栅极的正下方设有扩展沟槽,槽内有填充氧化物; 在填充氧化物的两侧、两个p-Well区的正下方依次设置有两个相同宽度的n 柱区与两个相同宽度的p柱区。两侧的n柱区与p柱区都以填充氧化物为对 称,且n柱区与柱区p及填充氧化物区的厚度相同,p柱区与n柱区及填充 氧化物的下面设置有一层硅衬底。其中,n柱区是采用小角度注入形成的。 本发明沟槽栅超结MOSFET结构,提高了器件的击穿电压,降低了导通电 阻,减小了输入电容和输出电容,使得器件的总功耗降低,并简化了制造工 艺。