技术详细介绍
本发明提供一种GaAs隧道结及其制备方法，实现优异的隧穿性能和高的峰值电流，能够很好的满足高倍聚光多结电池的要求，提升电池的光电转换效率。所述GaAs隧道结包括在GaAs衬底表面依次设置的阻挡层、第一掺杂层和第二掺杂层，所述GaAs衬底、阻挡层以及第一掺杂层的导电类型相同，其特征在于，如果所述第一掺杂层为n型，第一掺杂剂为Te，则所述第二掺杂层为p型，第二掺杂剂为Mg；如果所述第一掺杂层为p型，所述第一掺杂剂为Mg，则所述第二掺杂剂为n型，所述第二掺杂剂为Te。
本发明提供一种GaAs隧道结及其制备方法，实现优异的隧穿性能和高的峰值电流，能够很好的满足高倍聚光多结电池的要求，提升电池的光电转换效率。所述GaAs隧道结包括在GaAs衬底表面依次设置的阻挡层、第一掺杂层和第二掺杂层，所述GaAs衬底、阻挡层以及第一掺杂层的导电类型相同，其特征在于，如果所述第一掺杂层为n型，第一掺杂剂为Te，则所述第二掺杂层为p型，第二掺杂剂为Mg；如果所述第一掺杂层为p型，所述第一掺杂剂为Mg，则所述第二掺杂剂为n型，所述第二掺杂剂为Te。