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[01387942]一种CdTe薄膜制备方法及包含其的CdTe太阳电池

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 非专利

交易方式: 资料待完善

联系人:

所在地:安徽合肥市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本公开提供一种制备具有纵向贯穿晶粒的CdTe薄膜的方法:所述方法包括,在固态CdTe薄膜的制备过程中,在固态CdTe薄膜表面形成在薄膜沉积温度下呈熔融液态的液相共熔物的薄层,所述液相共熔物由CdTe及其氧化物组成。通过本公开的制备技术,可以得到具有纵向贯穿晶粒的CdTe薄膜。利用本公开制备的CdTe薄膜光吸收层,可以制备高转换效率的CdTe薄膜太阳电池。 所述方法包括,在固态CdTe薄膜的制备过程中,在固态CdTe薄膜表面形成在薄膜沉积温度下呈熔融液态的液相共熔物的薄层,所述液相共熔物由CdTe及其氧化物组成。 在本公开的一些实施方案中,所述固态CdTe薄膜的制备过程通过近空间升华法、化学气相沉积和气相输运沉积法等进行。 在本公开的一些实施方案中,所述CdTe薄膜的沉积温度高于所述液相共熔物的最低共熔温度点。 在本公开的一些实施方案中,通过改变CdTe及其各氧化物的组分和比例控制所述液相共熔物的最低共熔温度点。 在本公开的一些实施方案中,所述氧化物包括CdOx、TeOy和/或CdTeOz,其中x大于0并且小于或等于1,y大于0并且小于或等于3,z大于0并且小于或等于4。 在本公开的一些实施方案中,所述液相共熔物由CdTe与所述固态CdTe薄膜的制备过程中的环境气氛中的氧反应生成。 在本公开的一些实施方案中,所述液相共熔物通过直接在CdTe表面沉积CdTe及其氧化物的混合物获得。 在本公开的一些实施方案中,所述液相共熔物的厚度为1-100 nm,优选 1至 50 nm,再优选 1至 30 nm,最优选 5 至 20 nm。 在本公开的一些实施方案中,所述液相共熔物在CdTe薄膜制备完成后通过化学方法或者物理方法去除。 本公开还提供根据本公开的方法制备的具有纵向贯穿晶粒的CdTe薄膜。 本公开还提供一种CdTe薄膜太阳电池,所述CdTe薄膜太阳电池包括根据本公开的方法制备的具有纵向贯穿晶粒的CdTe薄膜。 本公开还提供一种促进CdTe晶粒的纵向择优生长的方法,所述方法包括形成在薄膜沉积温度下呈熔融液态的液相共熔物的薄层,所述液相共熔物由CdTe及其氧化物组成。
本公开提供一种制备具有纵向贯穿晶粒的CdTe薄膜的方法:所述方法包括,在固态CdTe薄膜的制备过程中,在固态CdTe薄膜表面形成在薄膜沉积温度下呈熔融液态的液相共熔物的薄层,所述液相共熔物由CdTe及其氧化物组成。通过本公开的制备技术,可以得到具有纵向贯穿晶粒的CdTe薄膜。利用本公开制备的CdTe薄膜光吸收层,可以制备高转换效率的CdTe薄膜太阳电池。 所述方法包括,在固态CdTe薄膜的制备过程中,在固态CdTe薄膜表面形成在薄膜沉积温度下呈熔融液态的液相共熔物的薄层,所述液相共熔物由CdTe及其氧化物组成。 在本公开的一些实施方案中,所述固态CdTe薄膜的制备过程通过近空间升华法、化学气相沉积和气相输运沉积法等进行。 在本公开的一些实施方案中,所述CdTe薄膜的沉积温度高于所述液相共熔物的最低共熔温度点。 在本公开的一些实施方案中,通过改变CdTe及其各氧化物的组分和比例控制所述液相共熔物的最低共熔温度点。 在本公开的一些实施方案中,所述氧化物包括CdOx、TeOy和/或CdTeOz,其中x大于0并且小于或等于1,y大于0并且小于或等于3,z大于0并且小于或等于4。 在本公开的一些实施方案中,所述液相共熔物由CdTe与所述固态CdTe薄膜的制备过程中的环境气氛中的氧反应生成。 在本公开的一些实施方案中,所述液相共熔物通过直接在CdTe表面沉积CdTe及其氧化物的混合物获得。 在本公开的一些实施方案中,所述液相共熔物的厚度为1-100 nm,优选 1至 50 nm,再优选 1至 30 nm,最优选 5 至 20 nm。 在本公开的一些实施方案中,所述液相共熔物在CdTe薄膜制备完成后通过化学方法或者物理方法去除。 本公开还提供根据本公开的方法制备的具有纵向贯穿晶粒的CdTe薄膜。 本公开还提供一种CdTe薄膜太阳电池,所述CdTe薄膜太阳电池包括根据本公开的方法制备的具有纵向贯穿晶粒的CdTe薄膜。 本公开还提供一种促进CdTe晶粒的纵向择优生长的方法,所述方法包括形成在薄膜沉积温度下呈熔融液态的液相共熔物的薄层,所述液相共熔物由CdTe及其氧化物组成。

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