[01386211]一种BCD器件及其制造方法
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技术详细介绍
一种BCD器件及其制造方法,属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一芯片上同时集成高压nLIGBT、三类高压nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN等半导体器件。其中,高压nLIGBT、nLDMOS和低压NPN直接做在单晶p型衬底上,低压NMOS做在p型阱中,低压PMOS做在n型外延层中。由于p型降场层分别位于n型外延层和n型漂移区阱间,使得p型埋层上的n型外延层为高压器件提供了一个额外的表面导电沟道,使得导电通道增加,降低了高压器件的比导通电阻,从而降低芯片的制造成本。本发明的nLIGBT器件、nLDMOS器件还具有输入阻抗高、输出阻抗低等特点,其构成的高压功率集成电路可以用于消费电子、显示驱动等多种产品中。