[01368614]高击穿电压肖特基二极管及制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种高击穿电压肖特基二极管及制作方法,其自下而上包括衬底（5）、Ga2O3外延层（3）、低掺杂n型Ga2O3薄膜（4）和钝化层（8）,钝化层（8）的中设置环状金属阴极（1）和圆形金属阳极（2）,环状金属阴极的环心与圆形金属阳极的圆心在同一点,环状金属阴极（1）的下面为硅离子注入区（7）,Ga2O3外延层（3）与低掺杂n型Ga2O3薄膜（4）之间设有用于调节电子浓度的多个H^+注入区（6）,且第一个H^+注入区域紧挨肖特基接触边缘,最后一个H^+注入区域距离金属阴极内环边缘的距离大于1μm。本发明通过H^+对电子的吸引作用,减小了肖特基接触边缘的电子浓度,提高了肖特基二极管的反向击穿电压。