[00134489]硅基核壳纳米线光伏电池及其制备工艺
交易价格：
面议
所属行业：
核能及氢能
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201110219803.2
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种硅基核壳纳米线光伏电池及其制备方法。该光伏电池包括N型硅衬底，该衬底正面形成有N型硅纳米线阵列作为光活性层，其底面上设有金属背电极，该硅纳米线阵列与空穴传输的有机导电聚合物形成核壳纳米线肖特基异质结，该异质结上设有ITO顶电极。进一步的，该有机导电聚合物包括PEDOT:PSS。该硅纳米线阵列及硅衬底由纯度为3-6N级的单晶或多晶硅形成，纳米线高度为3-5μm，衬底厚度为5-200μm。其制备工艺为：采用湿法刻蚀在N型硅衬底正面制备出硅纳米线阵列，然后与空穴传输的有机导电聚合物形成核壳纳米线异质结，最后在硅衬底底面和异质结上分别组装金属背电极和ITO顶电极。本发明光伏电池原料用量少，成本低廉，转换效率高，且制备工艺简洁。
本发明公开了一种硅基核壳纳米线光伏电池及其制备方法。该光伏电池包括N型硅衬底，该衬底正面形成有N型硅纳米线阵列作为光活性层，其底面上设有金属背电极，该硅纳米线阵列与空穴传输的有机导电聚合物形成核壳纳米线肖特基异质结，该异质结上设有ITO顶电极。进一步的，该有机导电聚合物包括PEDOT:PSS。该硅纳米线阵列及硅衬底由纯度为3-6N级的单晶或多晶硅形成，纳米线高度为3-5μm，衬底厚度为5-200μm。其制备工艺为：采用湿法刻蚀在N型硅衬底正面制备出硅纳米线阵列，然后与空穴传输的有机导电聚合物形成核壳纳米线异质结，最后在硅衬底底面和异质结上分别组装金属背电极和ITO顶电极。本发明光伏电池原料用量少，成本低廉，转换效率高，且制备工艺简洁。
