[00134392]肖特基型室温核辐射探测器及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
纳米及超细材料
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：200810019835.6
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种肖特基型室温核辐射探测器，包括以GaN基底形成的肖特基结构、肖特基电极和欧姆电极，其特征在于：所述GaN基底为厚膜结构，其厚度为100um～200um，所述肖特基电极和欧姆电极分别位于GaN基底的两侧表面上。由于本发明使用的GaN材料具有宽禁带宽度、高电阻率、大原子序数、强共价键结合、高熔点、高击穿电场、抗腐蚀、抗辐射等优良性能，制备的室温核辐射探测器具有良好的室温灵敏度、探测效率和稳定性，更适用于强辐射场的探测领域。同时，本发明的制造工艺简单，成本低廉，适于工业化推广。
本发明公开了一种肖特基型室温核辐射探测器，包括以GaN基底形成的肖特基结构、肖特基电极和欧姆电极，其特征在于：所述GaN基底为厚膜结构，其厚度为100um～200um，所述肖特基电极和欧姆电极分别位于GaN基底的两侧表面上。由于本发明使用的GaN材料具有宽禁带宽度、高电阻率、大原子序数、强共价键结合、高熔点、高击穿电场、抗腐蚀、抗辐射等优良性能，制备的室温核辐射探测器具有良好的室温灵敏度、探测效率和稳定性，更适用于强辐射场的探测领域。同时，本发明的制造工艺简单，成本低廉，适于工业化推广。
