[01329852]低气孔率反应烧结氮化硅结合碳化硅陶瓷材料的制备方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种低气孔率反应烧结氮化硅结合碳化硅陶瓷材料的制备方法，通过反应烧结法，结合致密化技术，获得低气孔率氮化硅结合碳化硅陶瓷材料，具体制备方法是：
（1）将两种粒度的SiC颗粒混合后加入硅溶胶搅拌均匀;
（2）添加经过预处理的金属Si粉和SiC粉，将浆料搅拌均匀，静置后加入促凝剂，再次搅拌;
（3）将浆料迅速注入模具中，振动成型，干燥后脱模;
（4）将制得的素坯在氯化铝溶液中真空浸渍两遍;
（5）在氮气气氛下反应烧结，得到反应烧结氮化硅结合碳化硅陶瓷材料;
与现有注浆成型技术相比，本发明制备的反应烧结氮化硅结合碳化硅陶瓷不需要石膏模具，可在不明显增加生产成本的情况下，显著降低材料的气孔率，提高体积密度。