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[01310597]基于管状堆砌单晶TiO2纳米薄膜电子传输层的钙钛矿太阳能电池构筑及其界面调控

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 非专利

交易方式: 资料待完善

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服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本项目拟采用一种管状堆砌高活性单晶TiO2纳米薄膜作为介观钙钛矿太阳能电池的电子传输层材料,并采用原子层沉积(ALD)的方法,在该TiO2电子传输层与钙钛矿光吸收层材料间沉积金属氧化物薄膜对界面进行调控,以分别提高电子传输层材料的迁移率和降低电子传输层和钙钛矿光吸收层界面处的复合,达到提高介观钙钛矿太阳能电池光电性能的目的,同时,也能为钙钛矿型其它器件,如钙钛矿LED和钙钛矿激光器等提供技术参考和理论支持。

这种管状堆砌型{001}面高暴露比例的TiO2纳米薄膜,是在采用阳极氧化方法制备的有序TiO2纳米管的基础上,通过后处理工艺,“类原位”生长的方法,将TiO2纳米管转变成管状堆砌型TiO2单晶纳米片装薄膜。采用“类原位”的生长方法,制备的纳米片薄膜中,纳米片间存在较少的缺陷和复合中心,以望提高电子迁移率。

同时,在高暴露比例{001}面的TiO2纳米薄膜的电子传输层表面,采用原子层沉积的方法,沉积Al2O3金属氧化物薄膜,对TiO2表面进行钝化,从而实现TiO2/钙钛矿界面调控,可以有效提高器件的光电性能及其钙钛矿太阳能电池的稳定性。

本项目拟采用一种管状堆砌高活性单晶TiO2纳米薄膜作为介观钙钛矿太阳能电池的电子传输层材料,并采用原子层沉积(ALD)的方法,在该TiO2电子传输层与钙钛矿光吸收层材料间沉积金属氧化物薄膜对界面进行调控,以分别提高电子传输层材料的迁移率和降低电子传输层和钙钛矿光吸收层界面处的复合,达到提高介观钙钛矿太阳能电池光电性能的目的,同时,也能为钙钛矿型其它器件,如钙钛矿LED和钙钛矿激光器等提供技术参考和理论支持。

这种管状堆砌型{001}面高暴露比例的TiO2纳米薄膜,是在采用阳极氧化方法制备的有序TiO2纳米管的基础上,通过后处理工艺,“类原位”生长的方法,将TiO2纳米管转变成管状堆砌型TiO2单晶纳米片装薄膜。采用“类原位”的生长方法,制备的纳米片薄膜中,纳米片间存在较少的缺陷和复合中心,以望提高电子迁移率。

同时,在高暴露比例{001}面的TiO2纳米薄膜的电子传输层表面,采用原子层沉积的方法,沉积Al2O3金属氧化物薄膜,对TiO2表面进行钝化,从而实现TiO2/钙钛矿界面调控,可以有效提高器件的光电性能及其钙钛矿太阳能电池的稳定性。

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