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课题来源与背景:随着电子设备的小型化、多功能化及高性能化,对电子封装材料的要求越来越高。作为理想的电子封装材料,要求具有热膨胀系数小、导热系数高、绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工等特点,可以起到固定密封、使电子设备免受外界环境的干扰、提高电子设备的寿命和增强环境适应的能力。
国家发明专利“电子元器件封装材料用陶瓷粉及其生产方法”(国家发明专利号:ZL201210396718.8)以含有氧化钡、氧化硼、氧化硅、氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛的复合氧化物作为原料,在800-1000 ℃烧结得到了陶瓷电子封装材料。
国家发明专利“一种导热耐候的太阳能电池封装材料”(国家发明专利号:ZL201210089355.3)公开了以乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯基共聚物、丙烯酸酯改性硅酸盐类填充剂、过氧化物类交联剂、酚类或亚磷酸酯类抗氧剂和受阻胺类光稳定剂作为原料,经过混料、熔融挤出、流延成膜和分切收卷四个工艺过程制备出了一种导热耐候的电池封装材料。
国家发明专利“一种高功率LED封装用环氧树脂复合物及其制备方法”(国家发明专利号:ZL201310180484.8)公开了以有机硅改性环氧树脂、脂环族环氧树脂、氢化双酚A环氧树脂、消泡剂、固化剂和多元醇等作为原料,在80-150 ℃固化0.5-3 h,脱模后于90-160 ℃固化1-10 h得到了环氧树脂复合物封装材料。
无机非金属电子封装材料虽然具有强度高、热膨胀系数小、耐老化性能好等特点,但是存在难于加工、制备温度高的缺点。高分子电子封装材料具有易加工、绝缘性好、制备温度低的特点,但也存在热膨胀系数大、耐老化性能差等缺点。因此,单一材料难以满足电子封装材料性能的要求。
技术原理及性能指标:技术原理:本成果以钼酸锂纳米棒、聚乙烯醇、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠、异丙醇铝、微晶石蜡和水作为原料,可以制备出无机非金属纳米材料与高分子材料复合形成的电子封装材料,这种电子封装材料具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特点。
铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的性能指标:
(1)热膨胀系数(×10-6 K-1/室温):5.9-6.4;
(2)热导率(W·m-1·K-1/室温):145-151
技术的创造性与先进性:
本成果在于提供钼酸锂纳米棒作为主要原料,引入聚乙烯醇、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠、异丙醇铝、微晶石蜡和水,得到具有热膨胀系数小、导热系数高、绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工及制备温度低的钼酸锂纳米棒电子封装材料。
本成果获得了国家发明专利1项。
技术的成熟程度,适用范围和安全性:
本成果成熟度高,采用的钼酸锂纳米棒稳定性好、无毒及无污染,聚乙烯醇、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠、异丙醇铝、微晶石蜡都是批量生产的原料,钼酸锂纳米棒电子封装材料的制备温度为80-120 ℃,低于无机非金属封装材料的制备温度,制备过程简单,减少了工艺步骤和能耗,降低了生产成本,可以实现钼酸锂纳米棒复合电子封装材料的制备。
本成果提供的钼酸锂纳米棒电子封装材料具有绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、导热系数高、热膨胀系数小、易加工、制备过程简单及制备温度低的特点,在电子封装材料领域具有良好的应用前景。
应用情况及存在的问题:项目成果产品的性能已达到实际应用要求,市场前景广阔。但是由于缺乏生产资金支持,所以本成果还未有实际应用。
成果简介:本成果公开了一种钼酸锂纳米棒电子封装材料,钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下:钼酸锂纳米棒65-80%、聚乙烯醇8-12%、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05-0.5%、异丙醇铝4-8%、微晶石蜡4-8%、水3-7%。钼酸锂纳米棒的直径为50-100 nm、长度为1-3 μm。
本成果提供的钼酸锂纳米棒电子封装材料具有绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、导热系数高、热膨胀系数小、易加工、制备过程简单及制备温度低的特点,在电子封装材料领域具有良好的应用前景。