[01249876]一种非外延高压BCD器件的制备方法
联系人：
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
登录后向技术服务商咨询
发布技术需求
服务免费，交易还可领红包哦
技术详细介绍
一种非外延高压BCD器件的制备方法，属于半导体技术领域中的半导体制造技术。
本发明提供一种在同一硅片上集成高压DMOS、高压采样器件SensorFET、低压BJT、低压CMOS、低压DMOS、MOS电容和阱电容、阱电阻以及多晶电阻等器件的工艺方法。
本发明采用非外延BCD工艺，使用高能离子注入形成倒置阱来制作各种高压和低压器件，只有三个高温热过程，具有工艺步骤少、光刻版数目少和高温热过程少等优点，能很好应用于高压功率集成电路和电源管理集成电路等的制作，相对于以往常规外延工艺，在提高了器件及集成电路性能的同时，很好地节约了制造成本。