[01235479]偏移场板结构的4H-SiC PiN/肖特基二极管及其制作方法
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所属行业:
其他电气自动化
类型:
非专利
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技术详细介绍
本发明公开了一种偏移场板结构的4H-SiC?PiN/肖特基二极管。它包括N+?4H-SiC衬底和同型N-外延层;衬底背面设有N型欧姆接触;N-外延层上设有多个同心环形P+区域,这些同心环形P+区域分为外部同心圆环和内部同心圆环;各内部同心圆环及环间隔区域的上方设有P型欧姆接触和肖特基接触;各外部同心圆环及其间隔区域的上方设有P型欧姆接触和SiO2钝化层;在该SiO2钝化层上方设有场板。其制作过程是:在4H-SiC衬底正面生长N-外延层;在N-型外延层制作同心环形P+区域、SiO2钝化层、肖特基接触、P型欧姆接触和场板;在4H-SiC衬底背面制作N型欧姆接触。本发明可用于大功率整流器及PFC电路。
本发明公开了一种偏移场板结构的4H-SiC?PiN/肖特基二极管。它包括N+?4H-SiC衬底和同型N-外延层;衬底背面设有N型欧姆接触;N-外延层上设有多个同心环形P+区域,这些同心环形P+区域分为外部同心圆环和内部同心圆环;各内部同心圆环及环间隔区域的上方设有P型欧姆接触和肖特基接触;各外部同心圆环及其间隔区域的上方设有P型欧姆接触和SiO2钝化层;在该SiO2钝化层上方设有场板。其制作过程是:在4H-SiC衬底正面生长N-外延层;在N-型外延层制作同心环形P+区域、SiO2钝化层、肖特基接触、P型欧姆接触和场板;在4H-SiC衬底背面制作N型欧姆接触。本发明可用于大功率整流器及PFC电路。