[01175996]BCD半导体器件及其制造方法
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技术详细介绍
BCD半导体器件及其制造方法属于半导体功率器件技术领域。器件包括高压nLIGBT、第一类高压nLDMOS,第二类高压nLDMOS,第三类高压nLDMOS和低压NMOS、PMOS、NPN。半导体器件直接做在单晶衬底上。高压nLIGBT、nLDMOS和低压NPN直接做在单晶p型衬底上,低压NMOS做在p型阱中,低压PMOS做在n型阱中。制作过程不采用外延工艺。在单晶衬底上实现nLIGBT、nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN的单片集成。由于没有采用外延工艺,芯片具有较低的制造成本。本发明的nLIGBT器件、nLDMOS器件具有输入阻抗高,输出阻抗低等特点,其构成的高压功率集成电路可以用于消费电子、显示驱动等多种产品中。