[01159866]直接带隙Ge沟道CMOS集成器件及其制备方法
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技术详细介绍
本发明涉及一种直接带隙Ge沟道CMOS集成器件及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底;生长第一Ge层;生长第二Ge层;形成浅沟槽隔离;注入B离子形成NMOS有源区;生长栅介质层和栅极层,刻蚀形成PMOS栅极和NMOS栅极;形成栅极保护层;刻蚀第二Ge层、所述PMOS栅极和NMOS栅极位置处形成Ge台阶;生长Si0.5Ge0.5层;去除栅极保护层,利用离子注入工艺形成PMOS源漏极和NMOS源漏极;淀积金属形成接触区,最终形成CMOS器件。本发明实现的Ge改性方式即直接带隙Ge作为沟道的CMOS器件制备,增加了CMOS器件的载流子迁移率,同时还具备单片光电集成的优势。