[01143209]基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法,其实现步骤为：1.对绝缘层上硅SOI晶圆进行清洗,并进行He离子注入;2.在离子注入后的SOI晶圆顶层Si层上淀积1GPa以上的压应力SiN薄膜或1GPa以上的张应力SiN薄膜,并刻蚀SiN薄膜成条形阵列;3.对带有SiN薄膜阵列的SOI晶圆进行退火;4.腐蚀去除SOI晶圆表面上的SiN薄膜阵列,得到晶圆级单轴应变SOI材料。本发明利用SiO2埋绝缘层在条形SiN薄膜阵列作用下的单轴拉伸或单轴压缩塑性形变在顶层Si层引入应变,与现有半导体工艺兼容,成本低,可用于制作超高速、低功耗、抗辐照半导体器件和集成电路。