[01136111]基于超级结的碳化硅MOSFET器件及制备方法
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技术详细介绍
一种基于超级结的碳化硅MOSFET器件制作方法,包括如下步骤：（1）在N+碳化硅衬底的正面上外延生长厚度为10μm、氮离子掺杂浓度为5×1015~1×1016cm3的N外延层,其外延生长温度为1600℃,压力100mbar,反应气体是硅烷和丙烷,载运气体为纯氢气,杂质源为液态氮气;（2）采用ICP刻蚀工艺,对N外延层的两侧进行刻蚀,形成P基区域,刻蚀深度为0.5~5μm;（3）在P基区域上进行外延生长厚度为0.5~5μm、铝离子掺杂浓度为5×1015~1×1016cm3的外延层,其外延生长温度为1600℃,压力100mbar,反应气体是硅烷和丙烷,载运气体为纯氢气,杂质源为三甲基铝;（4）在整个碳化硅的正面外延生长形成厚度为0.5μm、铝离子掺杂浓度为5×1015cm3的P阱外延层,其外延生长温度为1600℃,压力100mbar,反应气体是硅烷和丙烷,载运气体为纯氢气,杂质源为三甲基铝;（5）在P阱外延层中间区域离子注入深度为0.5μm,掺杂浓度为1×1017cm3的氮离子,形成JFET区;（6）在P阱的边缘区域离子注入深度为0.5μm,掺杂浓度为1×1019cm3的铝离子,形成P+欧姆接触区;（7）在P阱中靠近P+欧姆接触区离子注入深度为0.25μm,掺杂浓度为1×1019cm3的氮离子,形成N+源区。