[01123718]采用钙钛矿作为光吸收层的N型HEMT器件及其制备方法
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技术详细介绍
本发明涉及一种采用钙钛矿作为光吸收层的N型HEMT器件及其制备方法。该方法包括：选取衬底材料;采用第一掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极;在所述衬底材料及所述源漏电极表面生长电子传输层;采用第二掩膜版在所述电子传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层;采用第三掩膜版在所述光吸收层表面生长形成栅电极材料,以完成所述N型HEMT器件的制备。本发明实施例采用电子传输层传输电子阻挡空穴,并采用CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子,制备出的N型HEMT具有迁移率高,开关速度快,光电转换效率大的优点。