[00111551]半导体异质结及其发光晶体管
交易价格：
面议
所属行业：
电子元器件
类型：
专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200710026964.3
交易方式：
技术转让
联系人：
华南师范大学
进入空间
所在地：广东广州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种半导体异质结及其发光晶体管。半导体异质结包括宽带隙的n+型掺杂的电子发射区层、窄带隙的n-型掺杂层、有源层，所述窄带隙的n-型掺杂层通过突变异质结接触生长在宽带隙的n+型掺杂的电子发射区层上，所述有源层渐变生长在n-型掺杂层上，在n-型掺杂层/n+型掺杂层形成突变同型异质结，在靠近n-型轻掺杂的结区一侧形成一个量子阱，n+型一侧形成势垒。在半导体异质结的n-型掺杂层上再生长有源层、p型掺杂层，然后再制作n+型电极、n-型电极、p型电极即得到发光晶体管。上述基于半导体异质结的发光晶体管，通过改变施加在n-型掺杂层的电压可以控制电子的通过和截止，从而可以控制发光晶体管的发光强度。
本发明公开了一种半导体异质结及其发光晶体管。半导体异质结包括宽带隙的n+型掺杂的电子发射区层、窄带隙的n-型掺杂层、有源层，所述窄带隙的n-型掺杂层通过突变异质结接触生长在宽带隙的n+型掺杂的电子发射区层上，所述有源层渐变生长在n-型掺杂层上，在n-型掺杂层/n+型掺杂层形成突变同型异质结，在靠近n-型轻掺杂的结区一侧形成一个量子阱，n+型一侧形成势垒。在半导体异质结的n-型掺杂层上再生长有源层、p型掺杂层，然后再制作n+型电极、n-型电极、p型电极即得到发光晶体管。上述基于半导体异质结的发光晶体管，通过改变施加在n-型掺杂层的电压可以控制电子的通过和截止，从而可以控制发光晶体管的发光强度。
