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[00111145]等离子体氮化处理方法及半导体装置的制造方法

交易价格： 面议

所属行业： 微电子

类型： 专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：200680020281.0

交易方式： 技术转让

联系人：东北大学

所在地：辽宁沈阳市

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技术详细介绍

　　本发明的等离子体氮化处理方法,由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理容器内,形成含氮气体的微波激发高密度等离子体,在等离子体处理装置的处理容器内,使该高密度等离子体作用于被处理体表面的硅,在500℃以上的处理温度下进行氮化处理。