[00111085]层间绝缘膜、布线结构以及它们的制造方法
交易价格：
面议
所属行业：
微电子
类型：
专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：200680022317.9
交易方式：
技术转让
联系人：
东北大学
进入空间
所在地：辽宁沈阳市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
提供一种低介电常数且不会产生CFX、SIF4等气体的、稳定的半导体装置的层间绝缘膜和具备该层间绝缘膜的布线结构。在具备形成在基底层上的绝缘膜的层间绝缘膜中,所述层间绝缘膜的有效介电常数为3以下。布线结构具备层间绝缘膜和形成在层间绝缘膜上的接触孔以及被填充在所述接触孔内的金属。所述绝缘膜具备形成在所述基底层上的第1碳氟膜和形成在所述第1碳氟膜上的第2碳氟膜。
提供一种低介电常数且不会产生CFX、SIF4等气体的、稳定的半导体装置的层间绝缘膜和具备该层间绝缘膜的布线结构。在具备形成在基底层上的绝缘膜的层间绝缘膜中,所述层间绝缘膜的有效介电常数为3以下。布线结构具备层间绝缘膜和形成在层间绝缘膜上的接触孔以及被填充在所述接触孔内的金属。所述绝缘膜具备形成在所述基底层上的第1碳氟膜和形成在所述第1碳氟膜上的第2碳氟膜。
