[01084763]1cm^2效率为12%CIGS太阳能薄膜电池与技术

铜铟镓硒（CIGS）太阳能薄膜电池是以普通钠钙玻璃为衬底，磁控溅射法沉积1mm厚的Mo层作为电池底电极，用真空多源三步共蒸发工艺沉积CIGS化合物半导体薄膜，生长厚度大约2mm；第一步蒸发90% 左右的In和Ga，蒸发时间大约控制在15～20分钟，衬底温度为350℃；第二步蒸Cu的时间约25～30分钟内，衬底温度为540℃；第三步蒸发剩余10%的In和Ga，蒸发时间为5分钟，衬底温度仍保持在540℃左右；整个蒸发过程一直在Se氛中进行，Se源温度为200℃左右。薄膜电池缓冲层CdS采用化学水浴法（CBD）制备，厚度约50nm；窗口材料为双层ZnO膜，第一层为高阻本征层，用中频磁控溅射纯ZnO靶制成，第二层为低阻导电层，直流磁控溅射ZnO：Al靶制成，其厚度分别为80nm和800nm左右；最后用掩模板真空蒸发Ni/Al栅电极，形成结构为：玻璃/Mo/CIGS/n-CdS/n-ZnO/n+-ZnO：Al/Al的薄膜电池，1×1cm^2电池转换效率为12.1%，Voc＝582mV，Jsc＝32.5mA/cm^2，FF＝0.64。