[01078363]GaN半导体光电材料的规模化关键生产技术的检测设备
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类型:
非专利
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技术详细介绍
GaN半导体光电材料的规模化关键生产技术的检测设备是LED外延片生产的必备设备,作为生产、销售的主要依据,因为其无损检测的速度快,成本低,结果直观,可以在外延片出炉后马上检测,成为下一炉工艺参数调整的依据。检测的结果也是销售数据。该成果的光致发光采用400nm半导体激光器,比国外采用的气体激光器,具有成本低、易操作、光强稳定、寿命长、能耗低等特点;光致发光可以给出积分光强、峰值波长、光谱半宽、主波长等参数,电致发光的检测方法是国际首创,其检测结果在提供光参数同时也提供电参数,并且可以测量单只LED,直接与外延片进行比较。利用白光反射谱测量外延片膜厚,也获得了满意效果。所有参数以mapping形式显示,同时显示各个参数的统计结果,并且根据生产单位要求,增加了去孤立点、去边、局部扫描、单点测量等独有功能。该成果研发的设备已经成功应用于国营南昌746厂、方大福科信息材料有限公司、南昌大学材料所、深圳奥伦德公司、江西联创光电、杭州士兰明芯等六条生产线。该设备是国内唯一,价格是进口设备的五分之一左右。为企业降低了生产成本。
GaN半导体光电材料的规模化关键生产技术的检测设备是LED外延片生产的必备设备,作为生产、销售的主要依据,因为其无损检测的速度快,成本低,结果直观,可以在外延片出炉后马上检测,成为下一炉工艺参数调整的依据。检测的结果也是销售数据。该成果的光致发光采用400nm半导体激光器,比国外采用的气体激光器,具有成本低、易操作、光强稳定、寿命长、能耗低等特点;光致发光可以给出积分光强、峰值波长、光谱半宽、主波长等参数,电致发光的检测方法是国际首创,其检测结果在提供光参数同时也提供电参数,并且可以测量单只LED,直接与外延片进行比较。利用白光反射谱测量外延片膜厚,也获得了满意效果。所有参数以mapping形式显示,同时显示各个参数的统计结果,并且根据生产单位要求,增加了去孤立点、去边、局部扫描、单点测量等独有功能。该成果研发的设备已经成功应用于国营南昌746厂、方大福科信息材料有限公司、南昌大学材料所、深圳奥伦德公司、江西联创光电、杭州士兰明芯等六条生产线。该设备是国内唯一,价格是进口设备的五分之一左右。为企业降低了生产成本。