技术详细介绍
一、项目名称
多晶硅提纯的除P工艺及设备
二、技术概况
P是硅中的主要非金属杂质元素，在硅熔体中的分凝系数为0.35，用传统的定向凝固方法很难去除。本技术采用2N的工业硅为原料，通过真空电磁感应熔炼除P和快速顺序凝固工艺去除工业硅中的大多数金属杂质。设备包括电磁感应加热装置、强烈搅拌对流装置、倾倒和真空大气转换装置。主要通过自主设计和加工，使用安全可靠；节约能源和资源，废料回收综合利用。无污染物排放，实现清洁生产。
可将工业硅中的P从30ppmw左右降低到0.1ppmw以下，Al、Ca等金属杂质降低90％以上。
技术成熟程度：
本实验室对真空除P的研究已有20余年的历史，从100克，15公斤、50公斤的规模做过系统研究与中试实验，并在国内部分硅冶金企业试验，方法可行。在实验室已经能将P含量稳定控制在0.1ppm以下。可转向大批量生产（单炉次200Kg）。可自主设计相关设备。
三、产品用途和市场
用于工业硅的精细提纯，用于多晶硅系统提纯的上道工艺，且可与定向凝固结合起来，是冶金法提纯太阳能级多晶硅的关键工艺技术。
四、主要设备和总投资
投产条件：
①单炉次200kg的设备价格约350万元，与定向凝固线结合，年产500吨；
②单套设备厂房用地约200平方米；
③具有水、电、气供应和环保排放系统；
预期经济效益：
经济效益：投产后一年左右可回收投入成本，低P产品升值是20～50倍。
五、项目可供转让其他需要说明的情况
产业化合作研发，技术转让