技术详细介绍
一、项目特点和技术指标
特点：
1．暗电流低。利用异质结分离效应，光敏直径75微米芯片的暗电流可达到0.1nA。
2．光响应度高。1310nm达0.85～0.90A/W,1550nm达0.95～1.05A/W。
3．频率高。光敏直径75微米芯片的截止频率为2.5GHz以上。
4．性能可靠。采用氧化铝为钝化掩膜，芯片性能在10年以上。
5．制造成本低。采用开管锌扩散工艺，大大节省了成本和时间。
主要技术指标：
InGaAs/InPPIN光电探测器芯片（以光敏直径75微米为例）的主要参数：
工作波长：1.30～1.55微米;
工作电压：－5伏
响应度：0.85～1.05A/W（在1.31～1.55微米）;
暗电流：～0.5nA（10-9安培）
响应时间：80～120ps（皮秒）;
总电容：1.1pF（VR=-5V,f=1MHz）
反向击穿电压：≥20伏;
工作寿命：～100万小时。
二、技术成熟程度
本芯片制造技术已经逐渐成熟，完成了实验室小试、中试，工业化试生产，以及小批量供应国内外用户使用得到好评。正在进行专利申请，制定产品的企业标准，并进行项目鉴定。
三、应用范围
光电探测器是将光信号转换为电信号的主要器件，广泛应用在光纤通信网络的光交换机、光接收端机、中继站，移动通信网络的光直放站，计算机网络中的光纤收发器、光纤网卡、光交换机、光集线器，有线电视网络的光接收机、光工作站、中继站等设备中和半导体激光器稳定驱动电路中。总之，只要有光和光纤的地方就需要有光电探测器。
四、投产条件和预期经济效益
投产条件：
1、作伙伴最好是半导体器件厂家，已经具有平面工艺生产线设备。
2、投产资金：600～1000万元（含设备和流动资金，不含土建）。
预期经济效益：
成本预算：
国产2英寸InGaAs/InP外延片约6000元/片，进口约8000～12000元/片。
芯片工艺成本约1000元/片。
芯片产值预计：
每个外延片约有8100个管芯，按成品率75%计算，可产管芯6000只。以最常见的光敏直径75微米芯片为例，最低单价管芯1.5美元/只。一片2英寸外延片可获产值约7万元，利润约4～5万元。按设备能力每天至少可生产一片，如果有定单可在2年内回收投资。
五、合作方式
技术转让或合作开发