技术简介： 具有多泄放通道可控自钳位SensorFET复合横向功率器件,属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上,二者采用共用阳极结构;…… 查看详细 >
技术简介： 随着科学技术的日益更新,在人类迈向更高文明社会的同时,能源危机和环境污染已经涉及到工业、农业、商业、金融、科教文卫、国防和百姓生活的各个领域。此时,发展可再生能源改变人类的能源结构,如…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法,具体地说,是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法,属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤：清洗硅片、在清洗后的硅片上制备…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种制备薄膜电极的辅助装置,包括底盘,底盘具有用于支撑上下叠加设置的掩膜板和衬底的支撑端面,底盘上还设置有用于对掩膜板施加朝向衬底压紧的压紧力的压紧机构,所述压紧机构包括用…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种多沟道侧栅结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构。主要解决目前多沟道器件栅控能力差、顶栅结构器件载流子迁移率和饱和速度低的问题。其依次包括衬底（1）、第一层AlGaN/GaN…… 查看详细 >
技术简介： 本成果提出了一种新型的透明导电薄膜的制造方法,主要应用领域触控与显示、薄膜太阳能电池、OLED透明电极、柔性电子等领域。可替代现有行业采用的ITO（氧化铟锡）透明导电材料,突破了ITO材料应用…… 查看详细 >
技术简介： 本发明实施例公开了提供了一种制造气体敏感复合薄膜的方法,包括：将氧化物纳米结构材料分散于有机溶剂中,获得纳米结构材料分散液;将纳米结构材料分散液铺展于LB膜槽中形成氧化物纳米结构有序层;…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构，由如下三层结构组成：底层为衬底，中层为氧化物稀磁半导体薄膜，上层为铁电体薄膜。所述的衬底为SI、蓝宝石、SRRUO3或其它钙钛矿氧化物衬底…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种非均质功能器件快速成形微制造方法,采用下述方法步骤：根据制造非均质功能器件的要求,将不同的金属、合金材料或者非金属材料作为成形材料分别放入不同的液滴发生装置中,将低熔…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种超薄金属膜太赫兹吸收层及其制备方法，该吸收层制备在太赫兹探测器敏感单元的顶层。所述超薄金属膜通过刻蚀减薄较大厚度的金属薄膜制备，在刻蚀减薄过程中调节工艺参数与刻蚀剂…… 查看详细 >
技术简介： 市场上常见的汽车防盗装置主要有以下三种：电子防盗报警器：它有切断供电电路和鸣叫报警的双重功能；机械式防盗器：这种防盗器总是以锁定某个部件为目的：常规GPS定位防盗系统：GPS定位系统是单…… 查看详细 >
技术简介： 本装置属2003年度火炬计划项目产品，项目在2002年度获得国家技术创新基金支持。该产品由武大英康集成媒体有限公司自主开发。本装置使用摄像头对用户所关心的区域进行监视，装置对所监视图像进行…… 查看详细 >