技术简介： 本发明涉及冷光源、信息显示及半导体电子技术领域,公开了一种复合纳米金刚石薄膜电子发射阴极的制备方法,包括下列步骤：a、制备复合纳米金刚石浆料;b、丝网印刷制备复合纳米金刚石薄膜;c、印刷…… 查看详细 >
技术简介： 本公开提供一种制备具有纵向贯穿晶粒的CdTe薄膜的方法：所述方法包括,在固态CdTe薄膜的制备过程中,在固态CdTe薄膜表面形成在薄膜沉积温度下呈熔融液态的液相共熔物的薄层,所述液相共熔物由CdTe…… 查看详细 >
技术简介： 一种BCD器件及其制造方法,属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一芯片上同时集成高压nLIGBT、三类高压nLDMOS、低压NMOS、低压PMOS和低压NPN等半导体器件。其中,高压nLIGBT、nLDMOS和低压NPN…… 查看详细 >
技术简介： 采用薄膜技术和微机电系统(MEMS)技术，对双面氧化的硅片进行处理，得到双面套刻对准符号；采用薄膜技术和MEMS技术制备纳米晶成分的曲折状三明治结构软磁多层膜材料；采用物理刻蚀技术去除底层；…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于半导体技术领域,具体涉及到一种具有自适应偏置场板的高压MOS器件。本发明主的技术方案,与传统与固定电位连接的金属场板（如栅场板、漏场板以及源场板）相比,一方面,自偏置场板能削弱…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种AlGaN基蓝宝石衬底的紫外LED器件及制作方法,它涉及到微电子技术领域,主要解决出射光效率低的问题。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层、高温AlN成核层、本征AlGaN外延层、n-A…… 查看详细 >
技术简介： 本发明成果在于提供一种V型定位方式的线切割机,已解决现有线切割机通过垫块及压板实现加紧而带来的操作繁碎、消耗时间较多、影响效率的问题。包括机架、工作台和夹具,夹具包括V型块和U型夹,U型…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高击穿电压肖特基二极管及制作方法,其自下而上包括衬底（5）、Ga2O3外延层（3）、低掺杂n型Ga2O3薄膜（4）和钝化层（8）,钝化层（8）的中设置环状金属阴极（1）和圆形金属阳极…… 查看详细 >
技术简介： 在电力行业中，绝缘子的缺陷、导体的破损或污染会导致高压电力设备的电晕放电和故障，其危害巨大。为此，急需专门仪器能够准确的检测并定位电晕放电。在国内此研究领域尚属起步阶段，产品基本以…… 查看详细 >
技术简介： 技术简介：QZD2000型电子式电/气转换器用于实现电动单元组合仪表与气动单元组合仪表之间的信号转换，能将4-20mA(DC)的电流信号线性转换成20-100KPa压力信号。1997年11月28日通过产品鉴定，结论…… 查看详细 >
技术简介： 电流变隔振器的正电极系统，包括：电流变隔振器下盖板、环形正电极片、正电极基座、金属圆片、上层环氧树脂、引出导线焊接孔、铜箔和下层环氧树脂。六片环形正电极片同心等间距焊接于正电极基座…… 查看详细 >
基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法,其实现步骤为：1.对绝缘层上硅SOI晶圆进行清洗,并进行He离子注入;2.在离子注入后的SOI晶圆顶层Si层上淀积1GPa以上…… 查看详细 >