技术简介： BCD半导体器件及其制造方法属于半导体功率器件技术领域。器件包括高压nLIGBT、第一类高压nLDMOS,第二类高压nLDMOS,第三类高压nLDMOS和低压NMOS、PMOS、NPN。半导体器件直接做在单晶衬底上。高压…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种有机无机杂化卤化物钙钛矿半导体晶体的抛光方法,用于解决现有半导体晶体抛光方法实用性差的技术问题。技术方案是将橡胶垫平铺于两个抛光盘上;将从溶液法长出的MAPbBr3晶体放在…… 查看详细 >
技术简介： 以量子点为基础的太阳能电池为实现高效太阳能光电转换开辟了一个新方向和新技术途径。量子点敏化半导体纳晶薄膜太阳能电池作为一类量子点太阳能电池受到国内外研究者的广泛重视。其特点是可利用…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种直接带隙Ge沟道CMOS集成器件及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底;生长第一Ge层;生长第二Ge层;形成浅沟槽隔离;注入B离子形成NMOS有源区;生长栅介质层和栅极层,刻蚀形成PMOS…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种有机电致发光器件的封装工艺,其基板采用带铬的ITO或FTO薄膜玻璃。通过设计刻蚀区域,将显示器的区域上的铬刻蚀掉,其余部分的铬保留,器件封装时在铬上涂覆封装胶,进行盖板封装。这…… 查看详细 >
技术简介： 1个授权发明专利,2个受理发明专利,6个实用新型专利。201610798972.9有效发明专利。一种电场直流增强式燃料电池反应器的工业放大装置,其特征在于,所述装置由若干个具有电场增强催化反应的燃料电…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于铜合金材料技术领域，具体的说是一种添加稀土的多相强化电子封装铜合金及其制备方法。为了解决现有技术中的Cu-Ni-Si合金导电率普遍不高的技术问题，本发明采用独特的制备工艺，通过在…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于环己甲胺碘盐的2D/3D钙钛矿太阳能电池的制备方法，通过环己甲胺与三维钙钛矿层表面多余的PbI2反应原位生成二维钙钛矿，最终形成2D/3D复合钙钛矿薄膜。与三维钙钛矿太阳能电…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型涉及冷存储服务器技术领域，且公开了一种具有优化结构的冷存储服务器，包括水冷箱，所述水冷箱的底部铰接有封闭门，所述水冷箱的左右两侧均固定连接有两个固定架，两个所述固定架之间…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种配重式步进机构，包括第一叠层压电陶瓷、固定块、第二叠层压电陶瓷、质量块、动子和预紧机构；所述动子能沿第一方向移动；所述第一叠层压电陶瓷一端接触在动子上，预紧机构…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型提供了一种晶圆片侧面激光打码装置，该装置包括真空吸附平台、激光器、激光头、第一移动载体、第二移动载体、控制装置；所述真空吸附平台与所述激光头间隔一段距离设置；所述激光头设…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种碳化硅发热元件冷端部陶瓷材料的制造方法,特征是包括11个工艺步骤;碳化硅粉料、石油焦粉、石墨粉、活性炭粉、硅粉的将质量分数分别为0.30～0.90、0.05～0.50、0～0.20、0～0.10、…… 查看详细 >